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Vishay – 60V MOSFET有助于降低DC-DC轉(zhuǎn)換應用中的傳導損耗 

Vishay的SiR626DP是一款60V MOSFET，適用于在整個負載范圍內(nèi)都必須達到高效率基準的DC-DC轉(zhuǎn)換應用。該器件的峰值效率比同類競爭產(chǎn)品高出15％。

SiR626DP是Vishay新推出的第四代trench MOSFET的一款產(chǎn)品，導通電阻值比上一代低40％左右，可以降低導通損耗。

SiR626DP主要應用于以下方面：

1）同步整流

2）在24V電源總線上運行的系統(tǒng)

3）電機控制系統(tǒng)

4）DC-DC轉(zhuǎn)換器

5）太陽能微型逆變器

6）電動工具

7）工業(yè)設備

這意味著上一代Vishay MOSFET的用戶能夠以最少的電路返工來提高其系統(tǒng)設計的效率和性能。

其特性表現(xiàn)為：

1）超低導通電阻x柵極電荷品質(zhì)因數(shù)

2）在10V的柵-源電壓下，最大導通電阻為1.7mΩ

3）52nC的典型柵極電荷

4）在25℃的外殼溫度下具有100A的最大連續(xù)漏極電流

5）結(jié)溫范圍：-55°C至150°C

6）1.2°C/W的結(jié)至外殼最大熱阻

由于采用了 PowerPAK? SO-8 封裝，SiR626DP還改進了互連設計，內(nèi)部連接也得到改善，可以使電阻更低。這種具有超低寄生電感的低電阻封裝設計有助于最大限度地提高硅的性能，并降低傳導損耗和工作溫度。

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