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Vishay – 60V MOSFET有助于降低DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的傳導(dǎo)損耗 

Vishay的SiR626DP是一款60V MOSFET，適用于在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)都必須達(dá)到高效率基準(zhǔn)的DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件的峰值效率比同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品高出15％。

SiR626DP是Vishay新推出的第四代trench MOSFET的一款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值比上一代低40％左右，可以降低導(dǎo)通損耗。

SiR626DP主要應(yīng)用于以下方面：

1）同步整流

2）在24V電源總線上運(yùn)行的系統(tǒng)

3）電機(jī)控制系統(tǒng)

4）DC-DC轉(zhuǎn)換器

5）太陽(yáng)能微型逆變器

6）電動(dòng)工具

7）工業(yè)設(shè)備

這意味著上一代Vishay MOSFET的用戶能夠以最少的電路返工來(lái)提高其系統(tǒng)設(shè)計(jì)的效率和性能。

其特性表現(xiàn)為：

1）超低導(dǎo)通電阻x柵極電荷品質(zhì)因數(shù)

2）在10V的柵-源電壓下，最大導(dǎo)通電阻為1.7mΩ

3）52nC的典型柵極電荷

4）在25℃的外殼溫度下具有100A的最大連續(xù)漏極電流

5）結(jié)溫范圍：-55°C至150°C

6）1.2°C/W的結(jié)至外殼最大熱阻

由于采用了 PowerPAK? SO-8 封裝，SiR626DP還改進(jìn)了互連設(shè)計(jì)，內(nèi)部連接也得到改善，可以使電阻更低。這種具有超低寄生電感的低電阻封裝設(shè)計(jì)有助于最大限度地提高硅的性能，并降低傳導(dǎo)損耗和工作溫度。

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